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재료 회절 분석론 (2003 2 학기 ) Final exam. a) Derive simplified expressions for the structure factor F for GaAs. b) Derive simplified expressions for the structure factor F for Si. c) GaAs and Si have the same FCC Bravais lattice. Do the results of a) and b) the same?. If different, explain why?. 1. [001] [100] [010] 3. 4/mmm point group 을 가지며 Bravais lattice 가 body-centered tetragonal (a = 4.0 , Å c = 5.6 ) Å 인 단결정을 아래와 같은 orientation 으로 back-reflection Laue diffraction pattern 을 얻었다 . 이때 결정과 film 의 중심 사이의 거리가 6cm 이라면 {011} 과 {031} type 의 면으로부터 얻어지는 회절 spot 의 위치는 어떻게 되겠는가 ?. 즉 , 관찰되는 회절 spot 의 위치 (film 중심으로부터 거리 포함 ) 를 면지수와 함께 film 위에 나타내시오 . White X-ray Film Body-centered tetragonal single-crystal

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