Bipolar jonksiyon transistörlerin tanıtımı

Bipolar jonksiyon transistörlerin tanıtımı -...

Info iconThis preview shows pages 1–3. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
4 B İ POLAR JONKS İ YON TRANS İ STÖR Üretilen ilk yar ı iletken transistör ve bulan bilim adamlar ı Konular: 4.1 Transistörün Yap ı s ı 4.2 Transistörün Çal ı ş mas ı 4.3 Transistör Karakteristikleri ve parametreleri 4.4 Transistörün anahtar olarak çal ı ş mas ı 4.5 Transistörün Yükselteç olarak çal ı ş mas ı 4.6 Transistörlerde k ı l ı f tipleri B ÖLÜM 4
Background image of page 1

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
94 Elektronik bilimi, 1904-1947 y ı llar ı aras ı nda elektron lambalar ı n ı n kullan ı m ı yla geli ş ip önem kazand ı . İ lk diyot lamba 1904 y ı l ı nda J.A. Fleming taraf ı ndan yap ı ld ı . 1906 y ı l ı nda Lee De Forest, diyot lambaya üçüncü elektrodu ilava ederek Triyot lambay ı geli ş tirdi. İ zleyen y ı llarda elektron lambalar ı ndaki geli ş melere paralel olarak ilk radyo ve televizyon üretildi. 1931-1940 y ı llar ı kat ı maddeler elektroni ğ i hakk ı nda daha ziyade teorik çal ı ş malar devri olmu ş tur. Bu sahada isimleri en çok duyulanlar, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C. Slater, F. Seitz ve W. Schottky'dir. 23 haziran 1947 tarihinde elektronik endüstrisi geli ş me yolunda en büyük ad ı m ı att ı . Bu tarihte Bell laboratuarlar ı nda Walter H. Brottain ve John Bardeen taraf ı ndan nokta temasl ı ilk transistör tan ı t ı ld ı . Yükselteç olarak ba ş ar ı yla denendi. Bulunan bu yeni eleman ı n elektron lambalar ı na göre bir çok üstünlü ğ ü vard ı . İ mal edilen ilk transistör, nokta temasl ı transistördü ve gücü miliwatt seviyesindeydi. Sadece alçak frekanslarda kullan ı labiliyordu. Bu transistörün esas ı , germanyum bir parça üzerine iki madeni ucun çok yak ı n ş ekilde ba ğ lanmas ı ndan ibaretti. Kolay tahrip olmas ı ve fazla dip gürültüsü olmas ı sebebiyle çok tutulmam ı ş t ı r. 1949'da William Schockley taraf ı ndan geli ş tirilen "Jonksiyon Transistör" ise 1953'ten itibaren elektroni ğ in çe ş itli alanlar ı nda deneysel maksatlarla, 1956'dan itibaren ise her alanda seri olarak kullan ı lmaya ba ş lanm ı ş t ı r. Zamanla daha pek çok transistör çe ş idi bulunarak hizmete sunulmu ş tur. Günümüzde transistörler mikron teknolojisi ile üretilebilir hale gelmi ş ve tümdevrelerin (chip=Ic’s) içinde kullan ı lmaya ba ş lanm ı ş t ı r. Kulland ı ğ ı m ı z bilgisayarlar ı n i ş lemcileri modeline göre 3 ila 100 milyon adet transistör içerebilmektedir. Transistör, bir grup elektronik devre eleman ı na verilen temel add ı r. Transistörler yap ı lar ı ve i ş levlerine ba ğ l ı olarak kendi aralar ı nda gruplara ayr ı l ı rlar. BJT ( B ipolar J onksiyon T ransistör), FET, MOSFET, UJT v.b gibi. .. Elektronik endüstrisinde her bir transistör tipi kendi ad ı ile an ı l ı r. FET, UJT, MOSFET. .. gibi. Genel olarak transistör denilince akla BJT’Ler gelir. Bu bölümde bipolar jonksiyon transistörlerin genel yap ı s ı n ı , özelliklerini ve çal ı ş mas ı n ı inceleyece ğ iz.
Background image of page 2
Image of page 3
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

This note was uploaded on 11/23/2009 for the course ELE ele295 taught by Professor Ekolerol during the Spring '09 term at University of Economics and Technology.

Page1 / 33

Bipolar jonksiyon transistörlerin tanıtımı -...

This preview shows document pages 1 - 3. Sign up to view the full document.

View Full Document Right Arrow Icon
Ask a homework question - tutors are online