{[ promptMessage ]}

Bookmark it

{[ promptMessage ]}

JFET ve DC analizlari - BLM 8 8 ALAN ETKL TRANSSTRLER(JFET...

Info iconThis preview shows pages 1–4. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
188 8 ALAN ETK İ L İ TRANS İ STÖRLER (JFET) Konular: 8.1 Alan Etkili Jonksiyon Transistör (JFET) 8.2 JFET Karakteristikleri ve Parametreleri 8.3 JFET’in Polarmaland ı r ı lmas ı 8.4 MOSFET 8.5 MOSFET’in Karakteristikleri ve Parametreleri 8.6 MOSFET’in Polarmaland ı r ı lmas ı B ÖLÜM 8
Background image of page 1

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full Document Right Arrow Icon
189 8.1 ALAN ETK İ L İ TRANS İ STÖR (JFET) Alan Etkili Transistör (JFET), 3 uçlu bir grup yar ı iletken devre eleman ı n ı n genel ad ı d ı r. Bu gruptaki transistörler kendi aralar ı nda bir tak ı m kategorilere ayr ı l ı r ve isimlendirilirler. Alan etkili transistörlerin üretim tipleri ve çe ş itleri ş ekil-8.1'de tablo halinde verilmi ş tir. İ lerleyen bölümlerde her bir tip ayr ı nt ı lar ı olarak incelenecektir. ALAN ETK İ L İ TRANS İ STÖRLER (JFET’S) MOSFET ÇO Ğ ALTAN T İ P (DEMOSFET) AZALTAN T İ P (E-MOSFET) N KANAL P KANAL N KANAL P KANAL CMOS JFET P KANAL N KANAL Ş ekil-8.1 Alan ekili tansistörlerin (JFET) Tipleri Alan etkili transistör; Jonksiyon FET (JFET) veya metal oksitli yar ı iletken JFET (MOSFET) olarak yap ı l ı r ve isimlendirilir. Her iki tip transistörün de n kanall ı ve p kanall ı olmak üzere iki tipte üretimi yap ı l ı r. N kanall ı JFET'lerde iletim elektronlarla, P kanall ı JFET’lerde ise oyuklarla sa ğ lan ı r. FET'lerin yap ı mlar ı basit ve ekonomik olduklar ı ndan dolay ı oldukça çok kullan ı m alan ı bulmu ş lard ı r. JFET’lerin bipolar transistörlere göre önemli farkl ı l ı klar ı vard ı r. JFET ile BJT’lerin Kar ş ı la ş t ı r ı lmalar ı JFET'in giri ş ve ç ı k ı ş empedans ı çok yüksektir. Bu empedans ı n de ğ eri birkaç mega ohm'dan yüzlerce mega ohma’a kadar ç ı kabilir. Fakat çal ı ş ma frekanslar ı yükseldikçe empedanslar ı azal ı r. MOSFET'in giri ş empedans ı JFET'e nazaran daha büyüktür. BJT’nin giri ş ve ç ı k ı ş empedans ı JFET'ten küçüktür. Bu farkl ı l ı k BJT yerine JFET'in; JFET yerine de BJT'nin kullan ı lamayaca ğ ı n ı gösterir. JFET'in çal ı ş mas ı sadece ço ğ unluk ak ı m ta ş ı y ı c ı lar ı n ı n ak ı ş ı na ba ğ l ı d ı r. Tek tip ta ş ı y ı c ı l ı bu elemana unipolar transistör ad ı da verilir. ANALOG ELEKTRON İ K- I Kaplan
Background image of page 2
190 JFET'in gürültü seviyesi bipolar transistörlere nazaran azd ı r. Bu nedenle FET, alçak ve yüksek frekanslarda kullan ı labilir. JFET, iyi bir sinyal k ı rp ı c ı olarak çal ı ş ı r. JFET'in s ı cakl ı k kararl ı l ı ğ ı daha iyidir. S ı cakl ı k de ğ i ş imlerinden pek etkilenmez. JFET'in radyasyon etkisi yoktur ve radyasyondan az etkilenir. JFET'in BJT’ye göre sak ı ncas ı ; kazanç-bant geni ş li ğ i çarp ı m ı n ı n (geçi ş frekans ı -kazanc ı n bire dü ş ğ ü frekans) bipolar transistörle elde edilebilene k ı yasla küçük olmas ı d ı r.
Background image of page 3

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full Document Right Arrow Icon
Image of page 4
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

{[ snackBarMessage ]}