L2 - #2 1 , . ", , 2009-2010 . - , ; , : - 50- 20...

Info iconThis preview shows pages 1–4. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ ЛЕКЦИЯ #2 1
Background image of page 1

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
ПОЛУПРОВОДНИКОВИ ПАМЕТИ определение - устройство за съхранение на двоична информация, реализирано като полупроводникова регулярна структура с възможности за еднократен или многократен запис и четене; общи сведения, историческо развитие : - до 50 - те години на 20 век вакуумни тръби ( Williams-Kilburn тръби), drum памети и др. В комерсиалните изделия основно приложение 60 - 70 години феритни памети (magnetic core memories, ferrite-core). Използва керамични пръстени ( cores) - An Wang, Way-Dong Woo (1949 г.). Wang патентова сам принципа. Запис на база хистерезис в магнитни материали , от 1951 г. Като изделие. ( Africa IBM, 0.8 mm ферити ); КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ, спец. “Телекомуникации”, ФТК, 2009 - 2010 уч.год. - полупроводникови Si памети; статични RAM памети ( John Schmidt, Fairchild, 1964 г. проектира 64-bit MOS p- канална статична RAM (SRAM); - Fairchild предлага през 1968 т.нар. SAM (Semiconductor Active Memory) хибриден мулти - чип модул от 16 чипа с общ капацитет от 1024-bit. - сходни мулти - чип решения - Computer Microtechnology, Intel, Motorola, напр. SMA 2001 (Texas Instruments); - монолитни решения изместват мулти - чип модулите; 2
Background image of page 2
ПОЛУПРОВОДНИКОВИ ПАМЕТИ - 1968 Lee Boysel (Fairchild ) предлага структура на 256-bit динамична RAM (DRAM) с цел намаляване размерите на чипа. Развитие – 1024-bit и 2048-bit DRAM - 1969 г.; - аналогични решения на DRAM - Advanced Memory Systems (AMS6001) използвайки 4 до 6 транзисторни клетки (4 - Т, 6 - Т ЗК) ; - Bill Regitz (Honeywell ) предлага 3 - транзисторна клетка, произведена от Intel чрез р канална MOS технология КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ, спец. “Телекомуникации”, ФТК, 2009 - 2010 уч.год. от Intel чрез р - канална MOS ; - подобрено решение ( Ted Hoff, Bob Abbott, Bob Reed) - 1103. Предлага значително по - висока скорост и цена/1 бит . O т 1970 г. 1103 бързо заменя феритните памети в компютрите; - Walter Krolikowski (Cogar ) предлага n- канална DRAM през 1970 г., като IBM първа прилага тази технология на практика през 1972 г. в своите System 370/158.
Background image of page 3

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
Image of page 4
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Page1 / 18

L2 - #2 1 , . ", , 2009-2010 . - , ; , : - 50- 20...

This preview shows document pages 1 - 4. Sign up to view the full document.

View Full Document Right Arrow Icon
Ask a homework question - tutors are online