L5 - КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ ЛЕКЦИЯ # 5 1

Info iconThis preview shows pages 1–6. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ ЛЕКЦИЯ # 5 1 Динамични памети – DRAMs (Dynamic Random Access Memories) Общи сведения , развитие: I- во поколение:- първа комерсиална DRAM - 1Kb чип , схемна реализация 3- Т ЗК ( Intel ), р-MOS технология ;- 4Kb чип, 3- Т ЗК, подобрена р-MOS технология КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ, спец. “Телекомуникации”, ФТК, 2009- 2010 уч.год. (1Poly-1Metal процес, L=10μm); II- ро поколение:- 1- Т ЗК - 1976 г. (Mostek). Приложена за пръв път от IBM (Robert Dennard );- n- канална технология – n-MOS процес, 1- Т ЗК. - реализация на обем от 1 Mb и повече – вариации на технологичните процеси и реализация на запомнящия капацитет. Въвежда се CMOS процес ( LV, NI ). 2 Динамични памети – DRAMs (Dynamic Random Access Memories) Предимства :- висока плътност на разполагане на ЗК (СИ );- проста схемотехника на 1- Т ЗК – използва само MOS технология ( n-MOS), изцяло CMOS съвместима . Недостатъци КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ, спец. “Телекомуникации”, ФТК, 2009- 2010 уч.год. Недостатъци :- относително невисоко бързодействие (липса на положителна обратна връзка /ПОВ/ в структурата на ЗК);- необходимост от реген e рация;- относително сложни режими на четене, запис и регенерация;- повишени изисквания към поддържащите схеми;- особено внимание към изграждане C зап с висок специфичен капацитет (разнообразни технологии). 3 Динамични памети – DRAMs (Dynamic RAMs) Развитие на Запомнящата Клетка (ЗК) в DRAM 3- Т ЗК 1Т- ЗК WL (АШ) WL (АШ) КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ, спец. “Телекомуникации”, ФТК, 2009- 2010 уч.год. 4 BL ( ШД) C пар WL (АШ) BL ( ШД) C пар Динамични памети – DRAMs Реализация на запомнящия капацитет (технологично развитие, вертикални технологии) Планарна технология Stacked (сандвич) Trench (цилиндрична) MOS, double-poly, folded BL stack, multi-fin cylinder, + substrate plate, (1K,16K…1M) (4M..64M) (1M, 4M,…256M +HSG hemi-spherical grain) КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ, спец. “Телекомуникации”, ФТК, 2009- 2010 уч.год....
View Full Document

Page1 / 28

L5 - КОМПЮТЪРНИ СИСТЕМИ ЛЕКЦИЯ # 5 1

This preview shows document pages 1 - 6. Sign up to view the full document.

View Full Document Right Arrow Icon
Ask a homework question - tutors are online