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Facultad de Ingeniería y Ciencias Exactas Departamento de Tecnología Industrial y Servicios Materia: Fundamentos de Electrónica Código: 3.3.068 Revisión: Marzo 2009 EL TRANSISTOR DE UNI Ó N BIPOLAR BJT Los objetivos de este tema ser á n los siguientes: Conocer las relaciones entre las corrientes de base, emisor y colector de un  transistor bipolar.   Dibujar una curva hipot é tica de entrada y una familia de curvas de salida,  identificando los ejes.   Reconocer las tres zonas de funcionamiento sobre la curva de salida de un  transistor bipolar.   Indicar las caracter í sticas del transistor ideal y las de su segunda  aproximaci ó n.   Enumerar algunas de las limitaciones de trabajo del transistor bipolar que  deben ser conocidas por un t é cnico.   EL TRANSISTOR SIN POLARIZAR  El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura: La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es  el "Emisor". El Emisor est á  muy impurificado, la Base tiene una impurificaci ó n muy  baja, mientras que el Colector posee una impurificaci ó n intermedia.  En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo npn, aunque tambi é podr í a ser un pnp. FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA 1/56
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Facultad de Ingeniería y Ciencias Exactas Departamento de Tecnología Industrial y Servicios Materia: Fundamentos de Electrónica Código: 3.3.068 Revisión: Marzo 2009 EN PRINCIPIO ES SIMILAR A DOS DIODOS   Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el  emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman  uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos  son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de  colector" (el de la derecha en este caso). ANTES Y DESPU É S DE LA DIFUSI Ó N       Vamos a hacer un estudio del transistor npn, primeramente cuando est á  sin  polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusi ó n" (como un gas  en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden,  encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones entre las  zonas n y p se creen iones positivos y negativos. FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA 2/56
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Facultad de Ingeniería y Ciencias Exactas Departamento de Tecnología Industrial y Servicios Materia: Fundamentos de Electrónica Código: 3.3.068 Revisión: Marzo 2009 Esta difusi ó n y recombinaci ó n se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una  barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la uni ó n E-B  (W E ) y otra en la uni ó n C-B.
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    Jill Tulane University ‘16, Course Hero Intern