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Chapter04_341602366 - (SET 1 2 1 12(a 12(b 3 12 4 2 2080

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1 1 第四章 单电子晶体管 (SET) 2 第一节 库伦阻塞 设有一个纳米尺寸的金属粒子或半导 体粒子(统称为库仑小岛),因存在电 子亲和势,对电子来讲,构成一个零维 的电子势阱(量子点)。 设其一侧存在一很薄的介质层,另一 侧为稍厚的介质层,此结构构成非对称、 双垒的单势阱一维的电子能态结构。
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2 3 此时如在左侧加负电压(使电子能量提 高),电子就有可能注入到量子点的势阱 内,如图 12(a) 。当一个电子进入势阱后, 由于库仑排斥,将使相继进来的电子所需 的能量提高,或说导致阱周围的势垒提 高,如图 12(b) 所示。势阱中电子能量是量 子化的能级,首先进入的一个电子占据了 一个最低能级。这种库仑排斥将引起 库仑 阻塞效应 4 12 库仑阻塞示意
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