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TRANSISTOR UJT/FET/MOS-TESTES História O transistor foi criado nos laboratórios da Bell Telephone em dezenbro de 1947. A invenção desse componente é atribuída a três cientistas: Bradeen, Brattain e Shockley. O primeiro transistor surgiu por acaso durante estudos de superfícies em torno de um diodo de ponto de contato e seu nome foi derivado de suas características intrínsecas: "resistor de transferência" (transfer + resistor). Em 1955 iniciou-se a comercialização do transistor de silício, com essa tecnologia o preço do transistor caiu já que o silício ao contrario do germânio, é mais abundante na natureza. Descrição Dispositivo de 3 terminais (alguns possuem mais) que pode funcionar como amplificador ou como chave. Uso para o Transistor O transistor quando opera na região linear de sua reta de carga é usado como amplificador. E na região de corte ou saturação ele é usado como chave. Tipos de Transistores Vejamos os mais importantes: BIPOLARES (mais comum) FET (transistor de efeito de campo); MOSFET (transistor de efeito de campo com metal oxido semicondutor); UJT (transistor de unijunção); IGBT(transistor bipolar de porta isolada). Transistores Bipolares Principio de Funcionamento Funciona como um resistor variável entre coletor e emissor controlado pela corrente da base. Caracterisiticas dos Transistores Bipolares Trabalha com alta potência; Funciona em alta freqüência; É excitado por corrente; Possui menor resistência entre coletor e emissor quando em saturação. Polarização Pode ser de dois tipos PNP (conduz com negativo na base) ou NPN (conduz com positivo na base).
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Símbolos Conexão Darlington Mostrada na figura abaixo esta forma de conexão permite que a partir de 2 transistores possamos fazer um transistor de alto ganho . Beta do Transistor É o seu fator de amplificação, da corrente de base (IB) IC=IB x B Onde: IC: corrente de coletor IB: corrente de base B: beta (ganho) Configurações básicas Existem 3 (BC, CC e EC) cada uma com suas vantagens e desvantagens.
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Base comum (BC) Baixa impedância(Z) de saída. Alta impedância(Z) de entrada. Não a defasagem entre o sinal de saída e o de entrada. Amplificação de corrente igual a um. Coletor comum (CC) Alta impedância (Z) de saída. Baixa impedância (Z) de entrada. Não a defasagem entre o sinal de saída e o de entrada. Amplificação de tensão igual a um.
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Emissor comum (EC) Alta impedância(Z) de saída. Baixa impedância(Z) de entrada. Defasagem entre o sinal de saída e o de entrada de 18O. Amplificação de corrente de 10 a 100 vezes. Correntes de fuga Chamada ICB0 circula entre coletor e base com emissor aberto. Chamada IBE0 circula entre base e emissor com coletor aberto.
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