Transistores unijunção e de efeito de campo

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Unformatted text preview: Transistor de uni-junção (UJT) – Prof. Edgar Zuim 1 TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO (UJT) OBJETIVOS: Verificar experimentalmente o funcionamento de um transistor de unijunção, através de um oscilador de relaxação. INTRODUÇÃO TEÓRICA O transistor de unijunção (UJT do inglês Uni-junction-Transistor ) é um dispositivo de três terminais, cuja construção básica é mostrada na figura abaixo: A placa (lâmina) de silício é levemente dopada com impureza do tipo N, aumentando assim sua característica resistiva, com dois contatos de base ligados nos extremos e um bastão de alumínio ligado à superfície oposta. A junção PN do dispositivo é formada na fronteira entre o bastão de alumínio e a placa de silício N. Note que o bastão de alumínio é juntado na placa de silício em um ponto mais próximo do contato 2 (B 2 ) do que do contato 1. As aplicações destes dispositivos são inúmeras, dentre as quais: osciladores, circuitos de disparo, geradores de dente de serra, etc. O símbolo do transistor de unijunção é mostrado abaixo: A figura a seguir nos mostra um arranjo de polarização típico para um transistor de unijunção: Transistor de uni-junção (UJT) – Prof. Edgar Zuim 2 Entre B 2 e B 1 cria-se uma região de alta resistividade, denominada resistência interbases, representada por R BB . O circuito equivalente é mostrado abaixo: Considerações: a) A resistência R B1 é mostrada como uma resistência variável uma vez que variará de acordo com a intensidade da corrente I E ; em um transistor de unijunção típico R B1 pode variar de 5k Ω para 50 Ω . b)R BB é a resistência entre os terminais B 2 e B 1 quando I e = 0; R BB típico para os transistores de unijunção varia de 4k Ω até 10k Ω . R BB = R B1 + R B2 c) R B1 é obtida em função de uma equação em que se considera a taxa de separação intrínseca. Os valores de R B1 e R B2 são determinados pela posição do terminal E (emissor) na lâmina de silício, caracterizando assim a taxa de separação intrínseca a qual é denominada “ η ”. Assim: para I E = 0 podemos então afirmar: para I E = 0 A curva característica de um transistor de unijunção é mostrada a seguir: Transistor de uni-junção (UJT) – Prof. Edgar Zuim 3 V p = valor de pico (ponto de pico da tensão) I p = corrente de pico V v = tensão de vale I v = corrente de vale OPERAÇÃO: a) quando V E = V p o potencial V E cairá com o aumento de I E ; nestas condições R B1 diminui; b) a partir do ponto de vale o aumento de I E levará o transistor a saturação; c) desta forma, o ponto ideal de operação do transistor é a região de resistência negativa; nessa região um aumento de I E provoca uma diminuição de V E ....
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