Curs 4 - Chestiuni privind sistemele de memorie 1 Ce Este...

Info iconThis preview shows pages 1–8. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
1 Chestiuni privind sistemele de memorie
Background image of page 1

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
2 Ce Este Memoria Flash? Este memorie nevolatila. Utilizeaza tehnologia NOR, care ii permite utilizatorului sa programeze si sa stearga informatia electric . Programarea are loc cand electronii sunt plasati pe poarta flotanta. Sarcina electrica este stocata in poarta flotanta Stratul de oxid permite stregerea celulelor prin intermediul sursei.
Background image of page 2
3 Memoria Flash – Aspecte Tehnice Poarta de Comanda Poarta Flotanta Sursa n+ Drena n+ Linie de Bit Linie de Cuvant Substrat de tip p Celula de Memorie Flash Oxid de Tunel
Background image of page 3

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
4 Comparatie intre tipuri de memorie Memorie Facilitati FLASH Cost scazut, densitate inalta, arhitectura permite viteze mari, putere scazuta, fiabilitate inalta. ROM Cost scazut, densitate inalta, timp de scriere crescut, potrivita pt. productie pe scara larga cu cod stabil. SRAM Cost mare generat de densitatea scazuta, cea mai mare viteza, putere mare. EPROM Densitate inalta, necesita UV pentru stergere. EEPRO M Cost mai mare, densitatea cea mai scazuta, fiabilitate mai mica. Se sterge electric. DRAM Cost scazut, densitate inalta, viteza mare, putere mare.
Background image of page 4
5 Unde se situeaza Memoria Flash? EPROM EEPROM ROM DRAM FLASH Nevolatila Se poate actualiza Densitate inalta Flash – dispune de toate facilitatile.
Background image of page 5

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
6 Flash vs. EPROM & RAM Diferenta esentiala: celulele Flash sunt sterse electric, spre deosebire de EPROM unde sunt sterse cu lumina ultravioleta Memoria Flash poate fi atat stearsa, cat si reprogramata Timpii de scriere / citire sunt mai mari decat la RAM Flash – poate fi rescrisa de un numar finit de ori => se preteaza pentru aplicatii in care este necesara rescrierea unor date, dar nu de un numar mare de ori, de ex: lookup table cum este lista de numere de telefon stocata intr-un telefon mobil.
Background image of page 6
7 Doua Tehnologii Intel dispune de doua tehnologii Flash bazate pe aceeasi celula de baza: Memorie Flash cu logica binara In fiecare celula este stocat un singur bit de informatie: 1 = celula stearsa, 0 = celula programata Memorie Flash cu celule multinivel – Intel StrataFlash: Intr-un singur tranzistor se stocheaza doi biti de informatie Programarea celulei (plasarea sarcinii) si citirea (“sensing”) trebuie controlate precis pt. a dispune de 4 stari pt un singur tranzistor.
Background image of page 7

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
Image of page 8
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

This note was uploaded on 11/05/2011 for the course AUTOMATIC 28 taught by Professor Ionescutraian during the Spring '11 term at UPB Colombia.

Page1 / 29

Curs 4 - Chestiuni privind sistemele de memorie 1 Ce Este...

This preview shows document pages 1 - 8. Sign up to view the full document.

View Full Document Right Arrow Icon
Ask a homework question - tutors are online