ep14r6 - 6. Elementy obwodw pr du sinusoidalnego 117 Wyklad...

Info iconThis preview shows pages 1–3. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: 6. Elementy obwodw pr du sinusoidalnego 117 Wyklad XIV. UKLADY DWJNIKW Z ELEMENTAMI R , L , C . MOCE DWJNIKW. REZONANS ELEKTRYCZNY Uklad szeregowy R , L , C (gal R , X ) Przyjmuje si i = 0 u = t I i sin 2 = , ) sin( 2 + = t U u ; t I R u R sin 2 = , ) 2 sin( 2 + = t I X u L L , ) 2 sin( 2 ) 2 sin( 2 + - =- = t I X t I X u C C C ; ) 2 sin( 2 ) 2 sin( 2 ) ( + = + - = + = t I X t I X X u u u C L C L X , (6.34a) C L X X X- = ( reaktancja ). (6.34b) Gdy C L X X (gal o charakterze indukcyjnym), to X ) 2 sin( 2 + = t I X u X ; gdy L C X X (gal o charakterze pojemno ciowym), to < X ) 2 sin( 2 ) 2 sin( 2 - = + - = t I X t I X u X . Warto ci skuteczne napi : I R U R = , I X U L L = , I X U C C = , I X U X = . Uwaga. Wielko X I , tj. U X ze znakiem reaktancji X , nazwana jest dalej skladow biern napi cia. Prawo Ohma na warto ciach skutecznych pr du i napi cia (odmiana impedancyjna): I Z U = , (6.35a) I U Z = ( impedancja ) . (6.35b) X R u u u + = , tzn. ) 2 sin( 2 sin 2 ) sin( 2 + + + t I X t I R t I Z ) 2 sin( sin ) sin( + + + t X t R t Z ; = t : sin = Z X ; (6.35c) 2 = t : cos = Z R ; (6.35d) 2 2 X R Z + = , R X arc tg = . (6.35e, f) Uwaga. Napi cia na elementach L i C s w przeciwfazie. Mog osi ga du e warto ci, je li warto- ci X L i X C s sobie bliskie oraz du o wi ksze od R . Szczeglny przypadek stanowi re- zonans napi ( rezonans szeregowy ), kiedy to X L = X C , tzn. . . =- = rez C rez L rez X X X , R Z rez = . (6.36a, b) Zasilaj c uklad szeregowy R , L , C z generatora o regulowanej cz stotliwo ci, osi ga si rezonans przy pulsacji i cz stotliwo ci: C L rez 1 = , C L f rez 2 1 = . (6.36c, d) i R L C u R u L u C u X u Wyklad XIV 118 Uklad rwnolegly R , L , C (gal G , B ) Przyjmuje si u = 0 i = t U u sin 2 = , ) sin( 2 - = t I i . U ywane s wielko ci przewodno ciowe (odwrotno ci oporno ciowych) konduktancja G , susceptancja indukcyjna B L , susceptancja pojemno ciowa B C : R G 1 = , L L X B 1 = , C C X B 1 = . (6.37a, b, c) Warto ci skuteczne pr dw gal ziowych: U G I R = , U B I L L = , U B I C C = . t U G i R sin 2 = , ) 2 sin( 2 + = t U B i C C , ) 2 sin( 2 ) 2 sin( 2 + - =- = t U B t U B i L L L ; ) 2 sin( 2 ) 2 sin( 2 ) ( + = + - = + = t U B t U B B i i i L C L C B , (6.38a) L C B B B- = ( susceptancja ). (6.38b) Gdy L C B B (uklad rwnolegly o charakterze pojemno ciowym), to B ) 2 sin( 2 + = t U B i B ; gdy C L B B (uklad rwnolegly o charakterze indukcyjnym),...
View Full Document

This note was uploaded on 11/20/2011 for the course ECON 00502 taught by Professor Khazadi during the Fall '07 term at Oxford Brookes.

Page1 / 6

ep14r6 - 6. Elementy obwodw pr du sinusoidalnego 117 Wyklad...

This preview shows document pages 1 - 3. Sign up to view the full document.

View Full Document Right Arrow Icon
Ask a homework question - tutors are online