lecture4-2009 - ‫הרצאה מס' 4‬ ‫פעולות...

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: ‫הרצאה מס' 4‬ ‫פעולות נושאים‬ ‫פעולות נושאים:‬ ‫תלות ריכוז נושאים בזמן ובמרחב ותהליכי זרימתם.‬ ‫• סחיפה‬ ‫• דיפוזיה‬ ‫• ייצור-איחוד‬ ‫1‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫מבוא‬ ‫שלושה תהליכים גורמים לשינויים בריכוז נושאי מטען במרחב ובזמן,‬ ‫כתוצאה מכך יתרחש תהליך זרימת זרם.‬ ‫1. סחיפה )‪ - (drift‬תנועת נושאי מטען עקב שדה חשמלי פנימי או חיצוני.‬ ‫2. דיפוזיה )‪ ,diffusion‬פעפוע( - תנועת נושאי מטען מריכוז גבוה לריכוז‬ ‫נמוך.‬ ‫3. ייצור ואיחוד - ריכוז הנושאים יכול לגדול ע"י תהליך ייצור של‬ ‫אלקטרונים וחורים, או לקטון ע"י תהליך איחוד או‬ ‫העלמות של אלקטרונים וחורים.‬ ‫2‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫‪ .A‬סחיפה של נושאי מטען‬ ‫א. הגדרה:‬ ‫תהליך של תנועת נושאי מטען בהשפעת שדה חשמלי.‬ ‫בדוגמא בשרטוט:‬ ‫‪E‬‬ ‫אלקטרונים ינועו שמאלה,‬ ‫)לכן כיוון זרם האלקטרונים ימינה(.‬ ‫חורים ינועו ימינה,‬ ‫)לכן כיוון זרם החורים ימינה(.‬ ‫‪Ih‬‬ ‫‪h‬‬ ‫‪e‬‬ ‫‪Ie‬‬ ‫‪I = I h + Ie‬‬ ‫_‬ ‫3‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫+‬ ‫ב. מהירות סחיפה - ‪drift velocity Vd‬‬ ‫נתון מל"מ בשיווי משקל:‬ ‫מקרוסקופית, בממוצע לא יזרום בו זרם,‬ ‫מיקרוסקופית, תהיה תנועה אקראית של‬ ‫הנושאים בתוך המל"מ.‬ ‫ללא שדה חשמלי‬ ‫תנועה אקראית‬ ‫התנועה האקראית נקראת תנועה תרמית. האנרגיה הקינטית הממןצעת של‬ ‫אלקטרון שווה ל – ‪ 3/2KT‬ומהירות ממוצעת של כל אלקטרון שווה למהירות‬ ‫התרמית.‬ ‫3 2*1‬ ‫‪me ⋅ v th = KT‬‬ ‫2‬ ‫2‬ ‫מהירות תרמית של אלקטרון שווה בקירוב ל‬ ‫4‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫‪m‬‬ ‫‪. = 10 7 cm‬‬ ‫‪Sec‬‬ ‫‪Sec‬‬ ‫5 01‬ ‫בהפעלת שדה חשמלי על המל"מ, מיקרוסקופית עדיין קיימת תנועה‬ ‫מהירה של האלקטרונים, אבל בממוצע האלקטרונים ינועו בכיוון הפוך‬ ‫מהשדה החשמלי.‬ ‫המהירות הממוצעת נקראת מהירות סחיפה ‪.Vd‬‬ ‫בשדה חשמלי‬ ‫תנועה אקראית לכיוון מנוגד‬ ‫לשדה החשמלי‬ ‫5‬ ‫ללא שדה חשמלי‬ ‫תנועה אקראית‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫ג. ניידות )ניעות( ‪mobility‬‬ ‫ניתן להראות גם תיאורטית וגם נסיונית שתלות מהירות הסחיפה של‬ ‫האלקטרונים בשדה חשמלי מתוארת בסיליקון באופן הבא:‬ ‫באיזור ‪ : I‬שדות נמוכים,קיימת תלות‬ ‫ליניארית של המהירות בשדה.‬ ‫‪ µ‬מקדם התלות נקרא "ניידות".‬ ‫באיזור ‪ : II‬שדות גבוהים מאוד, המהירות‬ ‫בקירוב קבועה ושווה למהירות התרמית.‬ ‫האזור נקרא "אלקטרונים חמים".‬ ‫6‬ ‫‪cm‬‬ ‫)‬ ‫‪Sec‬‬ ‫‪hot electrons‬‬ ‫701‬ ‫‪Vd = µE‬‬ ‫‪V‬‬ ‫) (‪E‬‬ ‫‪cm‬‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫301‬ ‫‪II‬‬ ‫‪I‬‬ ‫( ‪Vd‬‬ ‫עבור מל"מ ‪ GaAs‬הגרף נראה כך:‬ ‫‪cm‬‬ ‫)‬ ‫‪Sec‬‬ ‫‪hot electrons‬‬ ‫‪V‬‬ ‫)‬ ‫‪cm‬‬ ‫‪II‬‬ ‫‪I‬‬ ‫(‪E‬‬ ‫איזור ‪ II‬נקרא איזור התנגדות שלילית, כי מהירות הסחיפה יורדת עם‬ ‫עליית השדה. תחום זה שימושי ליצירת מתנדים בתדרים גבוהים מאוד.‬ ‫7‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫( ‪Vd‬‬ ‫ערכים אופייניים:‬ ‫‪µp‬‬ ‫084‬ ‫004‬ ‫תכונות:‬ ‫‪µn‬‬ ‫1. ב ‪≈ 2.5 : Si‬‬ ‫‪µp‬‬ ‫‪µn‬‬ ‫0531‬ ‫0058‬ ‫‪Si‬‬ ‫‪GaAs‬‬ ‫ולכן עדיף לעבוד עם חומר סוג ‪. n‬‬ ‫2. ב ‪ µn (GaAs) ≈ 7 : GaAs‬ולכן עדיף לעבוד עם ‪. GaAs‬‬ ‫)‪µn (Si‬‬ ‫8‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫ד. תלות ניידות בזיהומים )סיגים(‬ ‫ניידות האלקטרונים גדולה מניידות החורים.‬ ‫בריכוז סיגים גבוה יותר הניידות יורדת.‬ ‫‪µn‬‬ ‫‪µp‬‬ ‫) 3− ‪N(cm‬‬ ‫9‬ ‫7101‬ ‫61‬ ‫01‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫‪µ‬‬ ‫תלות ניידות בטמפרטורה:‬ ‫01‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫ה. זרם סחיפה‬ I ‫אמפר‬ J= ( ) 2 A cm (1) :‫צפיפות זרם - הגדרה‬ (2a) J n = q ⋅ n ⋅ vd = q ⋅ n ⋅ µ n E (2b) J p = q ⋅ p ⋅ vd = q ⋅ p ⋅ µ p E h Ih e (3) Ie Jdrift = J n + J p = q ⋅ (µn ⋅ n + µ p ⋅ p)E ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ 11 ‫ו. מוליכות סגולית והתנגדות סגולית‬ ‫‪= J n + J p = q ⋅ (µ n ⋅ n + µ p ⋅ p)E‬‬ ‫‪V‬‬ ‫=‪I‬‬ ‫‪R‬‬ ‫‪drift‬‬ ‫‪J‬‬ ‫‪J =σ⋅E‬‬ ‫)3(‬ ‫)4(‬ ‫מתוך )3( ו )4( אפשר להראות כי מוליכות סגולית:‬ ‫1- )‪(Ω ⋅ cm‬‬ ‫והתנגדות סגולית:‬ ‫21‬ ‫)‪σ = q(µn ⋅ n + µ p ⋅ p‬‬ ‫)‪(Ω ⋅ cm‬‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫1‬ ‫=‪ρ‬‬ ‫‪σ‬‬ ‫)5(‬ ‫‪ .B‬ייצור )‪ (Generation‬ואיחוד )‪(Recombination‬‬ ‫ייצור ואיחוד במעבר ישיר:‬ ‫אלקטרון בפס הערכיות המקבל אנרגיה )ע"י חימום/הארה( הגדולה מ ‪ Eg‬יעבור לפס‬ ‫ההולכה. )אח"כ הוא יחזור בתהליך איחוד לפס הערכיות(.‬ ‫התהליכים הם:‬ ‫)‪ (a‬ייצור - נוצר זוג אלקטרון חור‬ ‫‪b‬‬ ‫)‪ (b‬דעיכה - )רלקסציה( אלקטרון יורד לתחתית פס ההולכה.‬ ‫זמן הרלקסציה‬ ‫≈ ‪10 − 12 Sec‬‬ ‫‪c‬‬ ‫)‪ (c‬איחוד - אלקטרון יורד לפס הערכיות, מתאחד עם חור,‬ ‫וזוג אלקטרון-חור נעלם. זמן האיחוד‬ ‫≈ ‪10 −6 Sec‬‬ ‫31‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫‪a‬‬ ‫ייצור ואיחוד במעבר לא ישיר:‬ ‫במל"מ מעשי יופיעו רמות אנרגטיות בתוך הפס האסור )בגלל הוספת‬ ‫מזהמים או בגלל פגמים בגביש(, לכן מחזוריות הפוטנציאל החשמלי‬ ‫מופרעת וייווצרו מעין בורות פוטנציאל מקומיים שישמשו מלכודת‬ ‫לאלקטרונים או לחורים. המלכודות משמשות כרמות ביניים המזרזות או‬ ‫מעכבות את תהליך הייצור והאיחוד.‬ ‫‪Ec‬‬ ‫‪Et‬‬ ‫‪ - b‬פליטת אלקטרון‬ ‫‪ - c‬תפיסת חור‬ ‫‪ - d‬פליטת חור‬ ‫‪Et‬‬ ‫‪Ev‬‬ ‫‪ - a‬תפיסת אלקטרון‬ ‫‪Ec‬‬ ‫‪Ev‬‬ ‫‪d‬‬ ‫אחרי‬ ‫41‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫‪c‬‬ ‫‪b‬‬ ‫לפני‬ ‫‪a‬‬ ‫הערות:‬ ‫• הרמה האנרגטית בפס האסור סומנה כריבוע כי‬ ‫זה אינו חור )לא יכול לזוז(.‬ ‫•‬ ‫רמות הלכידה יכולות לשמש כמזרזים‬ ‫)תכונה רצויה במל"מ( או כמעכבים.‬ ‫• עבור סיליקון מוסיפים אטומי זהב )מזהמים(‬ ‫המשמשים כזרזים.‬ ‫51‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫‪Ec‬‬ ‫‪Et‬‬ ‫‪Ev‬‬ ‫זמן חיים נושאי מטען מיעוט ותלות ריכוז נושאים בזמן‬ ‫זמן חיים: הזמן הממוצע שבו קיימים האלקטרון והחור עד להעלמותם )או איחודם(‬ ‫1. תכונות בסיסיות:‬ ‫•‬ ‫במל"מ סוג ‪ n‬האלקטרונים הם נושאי הרוב והחורים הם‬ ‫נושאי מיעוט.‬ ‫•‬ ‫במל"מ סוג ‪ p‬החורים הם נושאי הרוב והאלקטרונים הם‬ ‫נושאי מיעוט.‬ ‫•‬ ‫בדרך-כלל השינויים בריכוז נושאי המיעוט הם המשפיעים.‬ ‫61‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫דוגמא:‬ ‫3− ‪n0 = 10 16 cm‬‬ ‫נתון סיליקון סוג ‪: n‬‬ ‫3 − ‪p0 = 2.25 ⋅ 10 4 cm‬‬ ‫‪e−h‬‬ ‫האירו על המל"מ ונוצרו זוגות‬ ‫3‬ ‫‪cm‬‬ ‫51‬ ‫01‬ ‫ולכן הריכוז לאחר ההארה יהיה:‬ ‫3− ‪p ≈ 10 15 cm‬‬ ‫3 − ‪n = 1.1 ⋅ 10 16 cm‬‬ ‫כלומר ריכוז האלקטרונים כמעט לא השתנה,‬ ‫אך ריכוז החורים )נושאי המיעוט( השתנה בהרבה.‬ ‫71‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫2. סימונים:‬ ‫ריכוז בשיווי משקל:‬ ‫.‬ ‫0‪n0 , p‬‬ ‫ריכוז לא בשיווי משקל:‬ ‫)‪n(t) = n0 + δn(t‬‬ ‫)‪(6a‬‬ ‫)‪p(t) = p0 + δp(t‬‬ ‫)‪(6b‬‬ ‫כאשר ‪ δn , δp‬הם תוספת ריכוז הנושאים:‬ ‫)0 = ‪∆p = δp(t‬‬ ‫)0 = ‪∆n = δn(t‬‬ ‫81‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫3. קצב איחוד:‬ ‫קצב האיחוד יחסי למכפלת הריכוזים:‬ ‫ככל שריכוז החורים/האלקטרונים גדול יותר, קצב האיחוד גדול יותר.‬ ‫‪r‬‬ ‫‪ - α‬מקדם קצב האיחוד‬ ‫‪(7) R = αr ⋅ n ⋅ p‬‬ ‫4. ריכוז נושאים בשיווי משקל‬ ‫בשיווי משקל קיים רק ייצור ואיחוד תרמי )אין הארה(.‬ ‫בשיווי משקל קצב הייצור שווה לקצב האיחוד, כלומר:‬ ‫0‪Gth = Rth = αr ⋅ n0 ⋅ p‬‬ ‫91‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫)8(‬ ‫5. ריכוז נושאים לא בשיווי משקל:‬ ‫עקב הפרעה חיצונית קצב הייצור והאיחוד שונה מהקצב בשיווי משקל.‬ ‫‪ - G>R‬קצב הייצור גדול מקצב האיחוד, יש תוספת נושאים.‬ ‫‪ - G<R‬קצב הייצור קטן מקצב האיחוד, יש הפחתת נושאים.‬ ‫‪ - G=R‬מצב יציב, ריכוז עודף הנושאים קבוע.‬ ‫בשיווי משקל גם ‪ Gth=Rth‬כי אין הפרעה חיצונית.‬ ‫02‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫קצב ריכוז חורים‬ ‫קצב ריכוז אלקטרונים‬ ‫)‪dp(t‬‬ ‫‪=G−R‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪=G−R‬‬ ‫)‪dn(t‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫)‪(9a‬‬ ‫)‪(9b‬‬ ‫כאשר קצב האיחוד הוא )ניתן להראות מנוסחאות )6( , )7((:‬ ‫‪(7) R = αr ⋅ n ⋅ p‬‬ ‫) ‪R = αr ⋅ (n0 + δn )(p0 + δ p‬‬ ‫12‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫)01(‬ ‫6. מקרה פרטי )מעשי(:‬ ‫)‪dp(t‬‬ ‫‪=G−R‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫)‪(9a‬‬ ‫נטפל במקרה פרטי שבו מתקיימים התנאים הבאים:‬ ‫1. קיים רק ייצור תרמי )אין הארה/הזרקה(:‬ ‫0‪G = G th = α r ⋅ n0 ⋅ p‬‬ ‫)11(‬ ‫2. השינוי בריכוז החורים שווה לשינוי בריכוז האלקטרונים:‬ ‫)‪δn(t) = δp(t‬‬ ‫3. בחומר מסוג ‪ n‬יעניין אותנו ריכוז החורים )נושאי מטען מיעוט(,‬ ‫ומתוך )‪ (12) , (11) , (10) , (9a‬נקבל:‬ ‫)‪dp(t‬‬ ‫2))‪= − αr ⋅ δp(t) ⋅ no − αr ⋅ ( δp(t‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫321‬ ‫זניח בהזרקה נמוכה‬ ‫22‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫)31(‬ ‫)21(‬ ‫)‪dp(t‬‬ ‫2))‪= − αr ⋅ δp(t) ⋅ no − αr ⋅ ( δp(t‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫321‬ ‫)31(‬ ‫זניח בהזרקה נמוכה‬ ‫4. הזרקה נמוכה )תוספת הנושאים זניחה ביחס לריכוז נושאי הרוב(:‬ ‫חומר סוג ‪n‬‬ ‫חומר סוג ‪p‬‬ ‫0‪⎧δp << n‬‬ ‫⎨‬ ‫0‪⎩δn << p‬‬ ‫לכן נקבל:‬ ‫קצב ריכוז חורים בחומר‬ ‫סוג ‪n‬‬ ‫)‪dp(t‬‬ ‫0‪= − αr ⋅ δp ⋅ n‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫)‪(14a‬‬ ‫קצב ריכוז אלקטרונים בחומר‬ ‫סוג ‪p‬‬ ‫)‪dn(t‬‬ ‫0‪= −αr ⋅ δn ⋅ p‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫)‪(14b‬‬ ‫32‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫7. הגדרת זמן חיים של נושאי מטען מיעוט:‬ ‫זמן חיים: הזמן הממוצע שבו קיימים האלקטרון והחור עד להעלמותם )או איחודם(‬ ‫‪ - τ n‬זמן חיים של אלקטרונים )נושאי מיעוט( בחומר סוג ‪.p‬‬ ‫1‬ ‫∆‬ ‫= ‪τn‬‬ ‫]‪[Sec‬‬ ‫0‪αr ⋅ p‬‬ ‫‪ - τ p‬זמן חיים של חורים )נושאי מיעוט( בחומר סוג ‪.n‬‬ ‫]‪[Sec‬‬ ‫קצב ריכוז חורים בחומר‬ ‫סוג ‪n‬‬ ‫נציב את )51( לתוך )41( ונקבל:‬ ‫42‬ ‫∆‬ ‫1‬ ‫=‬ ‫‪τp‬‬ ‫0‪αr ⋅n‬‬ ‫)‪dp(t‬‬ ‫0‪= − αr ⋅ δp ⋅ n‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫)‪dp(t‬‬ ‫)‪δp(t‬‬ ‫−=‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪τp‬‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫)‪(16a‬‬ ‫)‪(15a‬‬ ‫)‪(15b‬‬ ‫)‪(14a‬‬ ‫)‪dp(t‬‬ ‫)‪δp(t‬‬ ‫−=‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪τp‬‬ ‫קצב ריכוז אלקטרונים בחומר סוג ‪p‬‬ ‫)‪(16a‬‬ ‫)‪dn(t‬‬ ‫)‪δn(t‬‬ ‫−=‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪τn‬‬ ‫)‪(16b‬‬ ‫הערה: איכותית נוסחה )‪ (16a‬אומרת שקצב ריכוז החורים שווה לממוצע‬ ‫העלמות עודף חורים .‪ δp‬בזמן ‪τ p‬‬ ‫נציב ב - )61( :‬ ‫ונקבל:‬ ‫)‪n(t) = n0 + δn(t) , p(t) = p0 + δp(t‬‬ ‫)‪(17a‬‬ ‫))‪d( δn(t‬‬ ‫)‪δn(t‬‬ ‫−=‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪τn‬‬ ‫52‬ ‫))‪d( δp(t‬‬ ‫)‪δp(t‬‬ ‫−=‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪τp‬‬ ‫)‪(17b‬‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫פתרון המשוואות ייתן: )נבצע עבור עודף חורים(‬ ‫)‪δp(t‬‬ ‫))‪d( δp(t‬‬ ‫−=‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪τp‬‬ ‫‪t‬‬ ‫‪τp‬‬ ‫נציב תנאי התחלה‬ ‫ונקבל:‬ ‫‪δ p(t = 0) = ∆p‬‬ ‫‪t‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪τ‬‬ ‫−‬ ‫‪δp(t) = c ⋅ e‬‬ ‫)‪(18a‬‬ ‫‪δ p(t) = ∆p ⋅ e‬‬ ‫באופן דומה עבור עודף אלקטרונים:‬ ‫62‬ ‫−‬ ‫)‪(17a‬‬ ‫‪t‬‬ ‫‪τn‬‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫−‬ ‫‪δn(t) = ∆n ⋅ e‬‬ ‫דוגמא‬ ‫נתון סיליקון מסוג ‪ n‬שמזוהם בזרחנים בריכוז‬ ‫ונתון ‪τ. p = τ n = 10 −6 Sec‬‬ ‫,‬ ‫3− ‪1016 cm‬‬ ‫מאירים על הפיסה באור אחיד וקבוע בזמן בכל נפח הפיסה, כך שנוצרים‬ ‫. ‪14 e − h‬‬ ‫במצב היציב תוספת של‬ ‫01‬ ‫3 ‪cm‬‬ ‫בזמן 0=‪ t‬מפסיקים את ההארה. חשב את ריכוז הנושאים כתלות בזמן.‬ ‫פתרון:‬ ‫61‬ ‫3−‬ ‫‪n0 = 10 cm‬‬ ‫בשיווי משקל , 0 ≤ ‪: t‬‬ ‫2‬ ‫‪ni‬‬ ‫= 0‪p‬‬ ‫3 − ‪= 2.25 ⋅ 10 4 cm‬‬ ‫0‪n‬‬ ‫3 − ‪n(t) = 10 16 + 10 14 = 1.01 ⋅ 10 16 cm‬‬ ‫)נזניח את 0‪(p‬‬ ‫72‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫3 − ‪p(t) ≈ 10 14 cm‬‬ ‫עבור 0 ≥ ‪(∆p = ∆n = 1014 cm −3 , t = 0) : t‬‬ ‫נטפל בחורים כנושאי מיעוט,‬ ‫ועודף האלקטרונים מאולץ להיות שווה לעודף החורים.‬ ‫1‬ ‫[‬ ‫]‬ ‫3‬ ‫‪cm‬‬ ‫זניח‬ ‫)‪n(t‬‬ ‫)‪p(t‬‬ ‫82‬ ‫41‬ ‫‪δp(t) = 10 e‬‬ ‫)‪δn(t) = δp(t‬‬ ‫ולכן:‬ ‫‪t‬‬ ‫‪t‬‬ ‫6− 01‬ ‫−‬ ‫61‬ ‫01‬ ‫4101‬ ‫0‪p‬‬ ‫‪t‬‬ ‫6− −‬ ‫01 ‪10 14 e‬‬ ‫≈ )‪p(t‬‬ ‫‪t‬‬ ‫6− −‬ ‫01 ‪10 16 + 10 14 e‬‬ ‫= )‪n(t‬‬ ‫0‪+ p‬‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ‫באיזה מצב קצב איחוד ‪ R‬גדול, שווה או קטן מקצב ייצור ‪ G‬ומ ‪?Gth‬‬ ‫פתרון:‬ ‫עבור 0<‪t‬‬ ‫‪ G=R>Gth‬מצב יציב‬ ‫עבור 0>‪t‬‬ ‫‪ R>G=Gth‬אין הארה, אין ייצור נוסף,‬ ‫אבל יש איחוד גדול.‬ ‫92‬ ‫מבוא להתקני מל"מ - פרופ' שלמה הבא‬ ...
View Full Document

This note was uploaded on 01/14/2012 for the course ELECTRICAL 361.1.2171 taught by Professor Prof.shlomohava during the Winter '10 term at Ben-Gurion University.

Ask a homework question - tutors are online