Almaz-kirarutyun.2003.09 - , 2003, 29, . 9 12 06;12 . , . ,...

Info iconThis preview shows pages 1–2. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
Письма в ЖТФ, 2003, том 29, вып. 9 12 мая 06;12 Использование тонких алмазных пленок для формирования интегральных схем © В.К. Белый, В.П. Варнин, С.А. Гаврилов, Э.А. Ильичев, Э .Полторацкий .Рычков .Теремецкая Федеральное государственное унитарное предприятие „Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина“, Москва Институт физической химии, Москва E-mail: polt@niifp.ru Поcтупило в Редакцию 16 декабря 2002 г. Рассмотрена технология, позволяющая на основе поликристаллических ал- мазных пленок создавать интегральные эмиссионные элементы типа вакуумных триодов. Технология включает три основных момента. Создание на поверхности кремниевой подложки тонкой алмазной пленки, проведение на основе алюми- ниевой маски литографии по этой пленке и, наконец, доращивание пленки в таком режиме, который обеспечивает ее эмиссионные свойства. Приводится конструкция эмиссионного триода, который может быть реализован на основе предлагаемой технологии. Алмазные поликристаллические и нанокристаллические плен- ки [ 1,2 ] , осаждаемые из газовой фазы, представляют значительный интерес для их применения в микро- и наноэлектронике. Здесь надо
Background image of page 1

Info iconThis preview has intentionally blurred sections. Sign up to view the full version.

View Full DocumentRight Arrow Icon
Image of page 2
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Page1 / 5

Almaz-kirarutyun.2003.09 - , 2003, 29, . 9 12 06;12 . , . ,...

This preview shows document pages 1 - 2. Sign up to view the full document.

View Full Document Right Arrow Icon
Ask a homework question - tutors are online