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Valores de v para correntes de chaveamento tenso de

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Unformatted text preview: uando a tensão sobre o dispositivo for da ordem de 0,7 V. Aplicando uma tensão reversa (negativa no anodo e positiva no catodo) no diodo, irá existir um fortalecimento na barreira de potencial, bloqueando a circulação da corrente elétrica. Experiências mostram que a aplicação de grandes gradientes de campo elétrico na junção faz com que o comportamento desta se aproxime ao de um capacitor. A agitação térmica rompe alguns vínculos do cristal, resultando em uma corrente devida aos portadores minoritários, chamada corrente de fuga reversa, da ordem de alguns miliampéres. Um aumento na tensão reversa acarretará um aumento na corrente de fuga através da junção. Eventualmente os portadores minoritários terão energia suficiente para provocar outras colisões, podendo romper a junção e dando origem à característica de tensão reversa de ruptura. Ia Condução Vac Tensão reversa Ruptura reversa Figura – Curva característica de um diodo 2.2 O TIRISTOR – SCR (RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO) O tiristor é um dispositivo de quatro camadas P-N-P-N, com um terceiro terminal chamado gate, representado na figura abaixo. A título de ilustração, um dispositivo com 2000V e 300A é construído por uma pastilha de silício com 300mm de diâmetro e 0,7 mm de espessura. A característica de um dispositivo de quatro camadas, sem polarização de gate, está plotada na figura abaixo com a sua respectiva curva característica. Nessas condições, o tiristor (scr) equivale à associação em série de três diodos, permitindo a condução da corrente elétrica em ambos os sentidos. A característica reversa, ou seja, com o catodo positivo, tem um aspecto similar à do diodo, já a característica direta, isto é, com o anodo positivo, mostra uma corrente de fuga que, próxima à região da tensão de ruptura direta (sobretensão), cresce e dispara o dispositivo por sobretensão. A tensão de ruptura direta e inversa são aproximadamente iguais em módulo. U...
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