Apprendre_l__Electronique_en_Partant_de_Z_ro_-_Niveau_1_-_Le_ons_01___28

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Unformatted text preview: fois. ELECTRONIQUE et Loisirs magazine 1 800 ohms C2 D G S 100 000 ohms 15 V D G 47 000 ohms Si on veut amplifier des signaux de quelques millivolts, on peut choisir comme valeur de Ids 1 milliampère ; on devra donc utiliser pour R2, une valeur de : GAIN 22,8 fois R2 6,5 V R4 - 1 mA environ, si vous voulez un gain impor tant ou pour amplifier des signaux dont les amplitudes sont faibles en millivolts. 15 V 5 600 ohms 1 800 ohms Figure 497 : Si l’on choisit une valeur de 5 600 ohms pour R2 et de 1 800 pour R3, ce FET amplifiera les signaux appliqués sur la Gate d’environ 3,11 fois. à la valeur Vds, c’est-à-dire à la tension qu’on pourra mesurer entre le Drain et la Source. la résistance R2 reliée au Drain, en utilisant la formule : C2 D G 47 000 ohms GAIN 3,11 fois 5 600 ohms R1 C3 R3 470 ohms R4 47 000 ohms Figure 499 : Pour réaliser un étage capable d’amplifier des signaux d’amplitude élevée, il suffira de réduire la valeur des deux résistances R2 et R3. 205 Cours d’Electronique – Premier niveau LE COURS 1 mA, pour la résistance R3, on devra choisir une valeur de : (2 : 1) x 1 000 = 2 000 ohms Etant donné que cette valeur ne fait pas non plus partie des valeurs standard, on sera dans l’obligation d’utiliser pour la R3, une valeur de 1 800 ohms ou bien 2 200 ohms. Vgs INCONNUE Vgs CONNUE R2 = R4 (charge) : 10 VR2 = ( Vcc - Vgs ) : 2 VR2 = ( Vcc - Vgs ) : 2 R2 = ( Vds : ids ) x 1 000 ids = ( VR2 : R2 ) x 1 000 R3 = ( Vgs : ids ) x 1 000 La valeur de la résistance R1 de la Gate Vgs = Vgs/OFF : 2 R3 = ( Vgs : ids ) x 1 000 ids = 4 mA pour gain faible ids = 1 mA pour gain fort Gain = La valeur de la résistance R1 à relier entre la Gate et la masse d’un FET n’est absolument pas imposée, on pourra donc tranquillement utiliser n’impor te quelle valeur comprise entre 47 000 ohms et 1 mégohm. - Si on utilise 47 000 ohms, on aura une entrée de cette même valeur d’impédance. - Si on utilise une valeur de 1 mégohm, on aura une entrée dont la valeur d’impédance sera élevée. - Normalement, on préfère utiliser pour R1 une valeur moyenne d’environ 100 000 ohms. Calcul du gain Si on choisit une valeur de 5 600 ohms pour R2 et de 1 800 pour R3, comme indiqué sur la figure 497, on pourra savoir de combien le FET amplifie, en utilisant la formule : Gain = R2 : R3 Donc, le FET amplifiera tous les signaux que l’on appliquera sur sa Gate, d’environ : 5 600 : 1 800 = 3,11 fois Si on applique en parallèle à la résistance R3 un condensateur électrolytique (voir figure 498), pour calculer le gain, on devra utiliser une formule différente, c’est-à-dire : ( R2 - R3 ) x Yfs 1 000 Figure 500 : Ce tableau vous donne les formules à utiliser pour calculer la valeur des deux résistances R2 et R3. Vous utiliserez le côté gauche du tableau si vous ignorez la valeur de la “Vgs” et le côté droit lorsque vous connaissez la valeur de la “Vgs” du FET. on obtiendra un gain de : [(6 800 – 2 200) x 6...
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This document was uploaded on 09/23/2013.

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