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Diode au silicium provoque une chute de tension

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Unformatted text preview: 00 = 1 milliampère positive de la pile passera à travers la sur la position PNP, le deuxième inverdiode DS7, puis entrera sur la broche seur S2/B prélèvera automatiquement Si le transistor avait une Hfe = 1 000, positive de l’instrument de mesure et, du curseur du trimmer R3, une tension sachant que sa base est parcourue par sor tant sur la broche négative, pasnégative par rapport à la masse, que un courant de 0,01 milliampère, le colsera à travers la diode DS6 pour aller l’on appliquera sur la broche 6 du lecteur serait parcouru par un courant alimenter le collecteur du transistor second circuit intégré opérationnel, de : NPN. IC1/A. De cette façon, on obtiendra sur la broche de sortie 7 de ce circuit intégré une tension négative qui fera consommer à la base de tous les transistors NPN, un courant de 10 microampères exactement. Lorsque l’on déplacera l’inverseur S2/A sur la position PNP, la tension négative de la pile passera à travers la diode DS5, puis entrera sur la broche négative de l’instrument de mesure et, sortant sur la broche positive, passera à ELECTRONIQUE et Loisirs magazine 191 0,01 x 1 000 = 10 milliampères Etant donné que le galvanomètre est prévu pour lire 100 microampères à fond d’échelle, pour pouvoir lire des valeurs de courant de 1 milliampère et Cours d’Electronique – Premier niveau LE COURS Figure 465b : Dessin du circuit imprimé à l’échelle 1, côté cuivre du testeur de transistors. de 10 milliampères, on devra appliquer deux résistances à ces extrémités. La résistance R12 de 100 ohms, reliée en parallèle à l’instrument de mesure par l’intermédiaire du pont A-A, permet d’obtenir une lecture de 1 mA à fond d’échelle. La résistance R11 de 10 ohms, reliée en parallèle à l’instrument de mesure par l’intermédiaire de l’interrupteur S3, permet d’obtenir une lecture de 10 mA fond d’échelle. En déplaçant le levier de l’inverseur S3 sur la position “x1”, on peut mesurer n’importe quelle Hfe jusqu’à une valeur maximale de 100. En déplaçant le levier de l’inverseur S3 sur la position “x10”, on peut mesurer n’importe quelle Hfe jusqu’à une valeur maximale de 1 000. Réalisation pratique Si vous désirez monter ce testeur de transistors, il vous faudra, soit réaliser le circuit double face donné en figures 465b et 465c, soit vous procurer le kit LX.5014 qui comprend l’ensemble des composants, y compris un circuit imprimé double face à trous métallisés et le boîtier avec face avant percée et sérigraphiée. Figure 465c : Dessin du circuit imprimé à l’échelle 1, côté composants du testeur de transistors. Si vous réalisez le circuit imprimé vous-même, les pastilles devront toutes être en liaison avec la face opposée, soit en soudant le composant qui les traverse des deux côtés, soit par un petit morceau de chute de queue de résistance. Pour les 6 trous des pattes des trimmers, vous devrez, avant de m...
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