Apprendre_l__Electronique_en_Partant_de_Z_ro_-_Niveau_1_-_Le_ons_01___28

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Unformatted text preview: l à trouver tous les manuels contenant les caractéristiques des FET. Même en admettant qu’il les trouve, il découvrira qu’ils sont écrits en anglais et qu’aucun d’eux n’explique comment procéder pour connaître les valeurs des résistances R2 et R3. Si on dispose de quelques caractéristiques, il est possible de calculer, avec une bonne approximation, les valeurs des résistances du Drain et de la Source, comme nous vous l’expliquerons maintenant. Admettons qu’on ne trouve que ces seules caractéristiques, dans un manuel : Vds = 30 volts maximum Ids = 25 mA maximum Vgs/off = 4 volts Yfs = 6 milliSiemens Avant de poursuivre, il faut commencer par expliquer ces sigles que vous ne connaissez pas : Vds : C’est la tension maximale que l’on peut appliquer entre le Drain et la Source. Ids : C’est le courant maximal que l’on peut faire passer sur le Drain. Vgs/off : C’est la tension négative maximale à appliquer sur la Gate pour empêcher le FET de fonctionner, c’est-à-dire pour empêcher le passage des électrons entre le Drain et la Source, comme on le voit sur les figures 476 et 477 (robinet fermé). Dans notre exemple, si on applique sur la Gate du FET une tension négative de 4 volts, ce FET ne sera plus conducteur. Pour Dans la précédente leçon, nous avons commencé à faire connaissance avec les FET, les transistors à effet de champ. Nous poursuivons par les caractéristiques et les formules de calcul pour les étages amplificateurs. Ces formules, peu nombreuses mais toutefois nécessaires, que nous vous donnons pour pouvoir calculer toutes les valeurs des deux résistances de polarisation, contrairement à celles que vous pourriez trouver dans beaucoup d’autres textes, sont extrêmement simples. amplifier un signal, la tension Vgs/off ne devra jamais atteindre cette valeur négative maximale dont il est question dans les manuels. Vgs : C’est la valeur de la tension de polarisation de la Gate. Cette valeur est fournie par un instrument que nous décrirons plus tard. Yfs : C’est la valeur de la transconductance exprimée en millimho (dont l’abréviation est mmho), équivalents aux milliSiemens (dont l’abréviation est mS). Cette Yfs sert à calculer le gain du FET en connaissant la valeur ohmique des résistances R2 et R3 appliquées sur le Drain et sur la Source. Les résistances de Drain et de Source Dans les transistors conventionnels, pour polariser la Base, il fallait calculer la valeur de quatre résistances (voir leçon 15), de façon à obtenir sur le Collecteur une valeur de tension égale à la moitié de celle d’alimentation. Par contre, dans un FET, pour obtenir cette même condition, il faut calculer la valeur de deux résistances seulement, c’est-à-dire R2 appliquée sur le Drain et R3 sur la Source (voir figure 496). Pour trouver la valeur de ces deux résistances, il faut connaître ces quatre données seulement : ELECTRONIQUE et Loisirs magazine 204 Vcc = tension d’alimentatio...
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