2 una uni abrupte de silici t na 51015 cm 3 nd 1015

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: Wp = 22 nm, Wn = 2,2 µm, W = 2,22 µm; ξ (0) = 3,38⋅105 V cm-1 5.2 Una unió abrupte de silici té NA = 5⋅1015 cm-3, ND = 1015 cm-3, Dn = 34 cm2/s, Dp = 12,5 cm2/s, ni = 1010 cm-3, A = 10-4 cm2, τp = 0,4 µs i τn = 0,1 µs. a) Calculeu el corrent de saturació en invers degut als forats, degut als electrons i el total. b) Si es polaritza en directe el diode amb una tensió V = VB / 2, calculeu les concentracions d'electrons i forats injectats a -Wp i Wn, la concentració de forats a x' = Lp / 2 i la d'electrons a x' = Ln / 2. c) Feu el mateix però polaritzant en invers a una tensió V = -VB / 2. d) Per a quin valor de la tensió de polarització ja no es compleix la condició de baix nivell d'injecció? Suposar que això succeeix quan l'excés de portadors és d'un 10% la concentració de majoritaris. Sol: a) Ips = 8,94⋅10-15 A, Ips = 5,9⋅10-15 A; b) ∆pn (Wn) = 4,47⋅109 cm-3, ∆np (-Wp) = 2,24⋅1010 cm-3, np (-Ln/2) = 2,72⋅109 cm-3, pn (Lp/2) = 1,36⋅1010 cm-3; c) ∆pn (Wn) = 0,45 cm-3, ∆pn (-Wp) = 0,089 cm-3, np (-Ln/2) = 1,21⋅104 cm-3, pn (Lp/2) = 6,07⋅104 cm-3; d) V = 0,535 V 2 5.3 TEMA V. La junció PN Considereu una estructura constituïda per dues zones de silici tipus N en contacte tèrmic i difusiu. Aquestes zones queden caracteritzades per les següents dades: Resistivitat (Ω cm) Mobilitat d'electrons (cm2/V s) Ei - Ev = Eg/2; ni = 1,5 1010 cm-3 Zona I 50 1250 Zona II 0,025 250 a) Calculeu la posició...
View Full Document

This document was uploaded on 03/26/2014 for the course FISICA 01 at Universitat de Barcelona.

Ask a homework question - tutors are online