Sol a 087 m b np x 0 2251013 cm 3 c p 25

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: la ZCE al costat P si la tensió en borns del diode quan es polaritza en directe és de 615 mV. c) La potència lluminosa emesa a l'exterior si se sap que és el 2% de la produïda per recombinació a l'interior del diode. Dades: npo = 103 cm-3; τn = 5 µs; amplada de la zona P = 2 µm; àrea = 10-3 cm2. Sol: a) λ = 0,87 µm; b) ∆np (x' = 0) = 2,25⋅1013 cm-3; c) P = 2,5 nW 5.10 Suposeu una estructura de silici N+PP+ amb les següents característiques: Zona N+: ND = 5⋅1019 cm-3, amplada = 0,5 µm Zona P: ρ = 10 Ω cm; µp = 625 cm2/V s; amplada = 10 µm Zona P+: ρ = 0,1 Ω cm; µp = 125 cm2/V s; amplada = 250 µm a) Calculeu la concentració d'impureses acceptadores a les zones P i P+. b) Calculeu la caiguda de potencial termodinàmic entre les zones N+ i P i entre la P i la P+. c) Calculeu l'amplada de la ZCE de la unió N+P i el valor del camp elèctric màxim. Sol: a) NA = 1015 cm-3, NA+ = 5⋅1017 cm-3; b) q VN+P = 850 meV, q VPP+ = 160 meV; c) W = 1,06 µm, ξmàx = 1,6⋅104 V cm-1 6 TEMA V. La junció PN ENUNCIATS DE PROBLEMES D'EXAMEN RELACIONATS AMB EL TEMA 5 5EX.1) Problema 2 de l’examen de Juny 1997 5EX.2) Problema 4 de l’examen de Juny 1999 Sigui una junció PN de Si a T=300 K. Determineu: a).- Potencial de polarització V en invers per tal de que e...
View Full Document

This document was uploaded on 03/26/2014 for the course FISICA 01 at Universitat de Barcelona.

Ask a homework question - tutors are online