B el potencial termodinmic en funci del pendent de la

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: n + 2 L p RP xn sinh L p 5.8 xp cosh -1 Ln x p + 2 Ln xp sinh Ln Una unió PN gradual ve definida per la següent concentració d'impureses: xo < x ND = NDo NA = NAo x < -xo ND - NA = ax -xo < x < xo Calculeu: a) El camp elèctric al llarg del semiconductor. b) El potencial termodinàmic en funció del pendent de la concentració a la zona gradual. c) El potencial elèctric al llarg del semiconductor prenent com a referència el potencial a la vora de la zona de càrrega del costat P. d) El valor del nivell intrínsec a tot el semiconductor. e) L'amplada de la ZCE a cada regió en funció del potencial en borns de la ZCE. 5 ELECTRÒNICA FÍSICA. Problemes Tema 5 Sol : a ) ξ = q a 2 W2 x2ε 4 d ) Ei - E F = ( Ei - E F 5.9 ) aW q a x3 W 2 x W 3 ; c )V ( x )= ; b ) U B = 2 k T ln 2 ni 2ε 3 4 12 aW a 3 - W / 2 - q V ( x ) ; e ) 2 k T ln = W 2 ni 12 ε ; Suposeu un diode N+P emissor de llum d'arseniür de gal⋅li (GaAs). La llum emesa s'origina per la recombinació banda-banda dels electrons injectats al volum del costat P de la unió quan el diode es polaritza en directe. Calculeu: a) La longitud d'ona de la llum emesa. b) L'excés d'electrons a la vora de...
View Full Document

{[ snackBarMessage ]}

Ask a homework question - tutors are online