C lamplada de la zce al cas exposat raoneu la

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: diferència de potencial de contacte entre els punts extrems de les zones P+ i N+. b) L'amplada de les zones de càrrega espacial al cas en que les zones P i N fossin infinitament llargues. c) L'amplada de la ZCE al cas exposat. Raoneu la resposta. d) Dibuixeu les gràfiques del camp elèctric, el potencia elèctric i la densitat de càrrega. e) Calculeu el valor del camp elèctric al punt on és màxim i a la interfície entre les zones P i P+. Sol: a) VB = 0,92 V; b) Wp = Wn = 1,73 µm; c) W ≈ 2 µm; ξmàx = 6,1⋅103 V cm-1, ξ(Wn) = 4,6⋅103 V cm-1 5.5 Un diode PIN està constituït per una regió intrínseca I de 20 µm de amplada, situada entre una regió P i una N. Considereu una estructura de silici d'aquest tipus, amb dopatges NA = ND = 1020 cm-3 i una secció de 1 mm2. a) Dibuixeu, qualitativament, les corbes de densitat de càrrega, camp i potencial elèctrics. b) Calculeu el potencial termodinàmic i l'amplada de la ZCE. c) Calculeu el valor del camp elèctric màxim i compareu-lo amb el valor que tindria si suprimíssim la zona intrínseca. d) Calculeu l'amplada de la ZCE quan s'aplica una tensió inversa de V volts, així com la capacitat associada a la unió. Sol: b) VB = 1,2 V, W ≈ 20 µm; c) ξmàx = 600 V cm-1; d) W ≈ 20 µm,...
View Full Document

{[ snackBarMessage ]}

Ask a homework question - tutors are online