2 e ec 2 3 sol b n c e e c n k t

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: gual a l'energia mitja a un semiconductor no degenerat.  2 ( E - Ec ) 2 3 Sol : b ) n > ; c ) < E > = E c + n k T ; d ) | v |= 1 3 2 n C2 1  <| v |> Γ ( n+1 ) n C2 e)  = n 1| v ( < E - E c > )| 3 Γ n 3 2 2 2 2 1+ 2.2 n 2 ; Determineu l'error comès en prendre la funció de distribució de Maxwell-Boltzmann enlloc de la funció de distribució de Fermi-Dirac al cas del silici intrínsec. Sol: 7,7⋅10-10 2.3 a) Determineu la densitat d'estats total a la banda de valència del silici, tenint en compte que aquesta banda es troba degenerada al màxim (1 banda de forats lleugers i 1 de forats pesants). b) Redefiniu la massa efectiva de densitat d'estats. c) En un silici tipus P amb una concentració de 1014 cm-3, quin tant per cent de forats seran lleugers i quins pesants? Sol: c) 84% forats pesants, 16% forats lleugers 2 2.4 TEMA II. Estadística als semiconductors La banda de conducció del germani té mínims absoluts a la direcció (111) situats a la frontera de la 1ª Zona de Brillouin, un mínim directe a la posi...
View Full Document

This document was uploaded on 03/26/2014 for the course FISICA 01 at Universitat de Barcelona.

Ask a homework question - tutors are online