Proveu que el pendent de la grfica ln n vs 1000 t

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: a una resistència mitja entre els seus extrems de 10 Ω, quina serà la concentració de donadors? Sol: 1,6⋅1016 cm-3 2.14 a) Calculeu l'expressió de la concentració d'electrons n a la zona d'impureses d'un semiconductor tipus N. Proveu que el pendent de la gràfica ln ( n ) vs 1000 / T permet de determinar la posició energètica del nivell donador. b) Si aquesta és de 50 meV, a quina temperatura es produeix el màxim apropament del nivell de Fermi a la banda de conducció? T 1 ND Sol: b) max = T0 e g ·M C (To ) 2 3 Tmàx = 0,09 K 2.15 Una plaqueta de silici tipus P, dopada amb NA = 1015 cm-3, es compensa mitjançant una difusió de fòsfor de 2⋅1015 cm-3. a) Determineu el pendent de la gràfica ln ( n ) vs 1000 / T a la zona d'impureses. b) Compareu el resultat obtingut amb el deduït al problema anterior. 4 TEMA II. Estadística als semiconductors 2.16 Per a les temperatures que corresponen a la regió de saturació d'un semiconductor, l'aproximació que suposa que totes les impureses acceptadores i donad...
View Full Document

This document was uploaded on 03/26/2014 for the course FISICA 01 at Universitat de Barcelona.

Ask a homework question - tutors are online