10 lestructura de la figura est dopada uniformement

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: =0 x=w x c) Trobeu el corrent que tindríem a x = W. x x exp ( exp ( ) ) x Lp Lp Lp Lp exp ( ) ; b ) ∆ p ( x )= G Sol : a ) ∆ p ( x ) = G Dp Lp D p 1 + exp ( - 2 W ) 1 + exp ( 2 W Lp Lp qG c) J p = W cosh L p ) 3-4.10 L'estructura de la figura està dopada uniformement amb acceptadors en una concentració de 1017 cm-3. a) Quin és el valor màxim de la velocitat de generació superficial G per a la que la concentració de portadors majoritaris no es pertorba en més d'un 1%? b) Quin és el valor corresponent de la densitat de corrent de forats o d'electrons a la superfície? c) Si la radiació que produeix aquesta injecció és monocromàtica amb hν = 1,4 eV i s'absorbeix completament, quina és la densitat de la potència radiant corresponent? τ1→ ∞ x=0 τ2→ 0 x=w x d) Si Dp/Dn = 0,5, quin és el valor corresponent de la diferència de potencial electrostàtic entre x = 0 i x = W? Dades: Dn = 50 cm2/s; W = 50µm; µp = 103 cm2/V⋅s Sol: a) G < 1019 cm-2 s; b) Jp = 1,6 A cm-2; c) Irad = 2,24 J cm-2 s-1; d) V = 0,25 mV 4 TEMES III-IV. Fenòmens de Transport. Generació i Recombinació 3-4.11 Una mostra de silici tipus N té una resistivitat de ρ = 10 Ω⋅cm quan es manté a les fosques o sota il⋅luminació dèbil. Pretenem calculeu la seva resistivitat quan està sotmesa a forta il⋅luminació. Suposem que la velocitat de recombinació neta pot expressar-se de la forma: R = α ( n p - ni2 ) que es redueix a R= p - po τp només en condicio...
View Full Document

This document was uploaded on 03/26/2014 for the course FISICA 01 at Universitat de Barcelona.

Ask a homework question - tutors are online