7 d p dn n n p gl d p dn p per x per x x

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: exp L per x ≤ − 2 p p x δ δ J p = q L p g L sinh 2 L exp - L per x ≥ 2 ; J n = - J p ; J Total = 0 ; p p ρ ( x )= ε 3-4.7 D p - Dn n µn ∆ p gL δ δ D p - Dn ∆ p per x ≥ per x ≤ , ρ ( x ) = ε 2 n µn τ p Dp 2 τ p Dp Dp Un semiconductor tipus N té una concentració d'impureses donadores ND = 1013 cm-3. Sabent que a 325 K la concentració intrínseca és de l'ordre de 1011 cm-3: a) Calculeu la concentració de forats a aquesta temperatura. b) Il⋅luminem la mostra uniformement fins a arribar a una concentració doble de forats. A partir d'aquest instant es suprimeix la il⋅luminació. Quina serà la concentració de forats al cap de t segons? Justifiqueu les aproximacions fetes. Sol: a) po = 109 cm-3; b) p(t) = po (1 + exp (-t/τ)) 3 ELECTRÒNICA FÍSICA. Problemes Temes 3 i 4 3-4.8 Disposem d'una mostra de tipus N il⋅luminada amb un feix monocromàtic tal que hν>Eg. La generació de parells es realitza uniformement a través de tota la mostra amb una velocitat g. a) Trobeu el valor estacionari de la concentració de forats. b) Si a t=0 hom apaga el feix, trobeu l'evolució de la concentració de forats amb el temps. Sol: a) ∆p = g τp; b) ∆p(t) = g τp exp (-t/τp) 3-4.9 Suposem ara que la mostra de l'exercici anterior només rep il⋅luminació d'un costat. La generació de parells electró-forat (G) es realitzarà pràcticament a la superfície. a) Calculeu la distribució de la concentració a l'estat estacionari. b) Què passaria si el cristall fos finit, és a dir, que per a x = W s'extraguessin tots els portadors en excés? x...
View Full Document

{[ snackBarMessage ]}

Ask a homework question - tutors are online