La mostra sillumina amb llum que es suposa que s

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: ns de baixa injecció. a) Calculeu les concentracions d'electrons i de forats a la mostra en equilibri (a les fosques). b) Trobeu la posició del nivell de Fermi referida al nivell de Fermi intrínsec. c) Calculeu el valor i dimensions de la constant α si el temps de vida dels portadors minoritaris és de τp = 1 µs. La mostra s'il⋅lumina amb llum que es suposa que és absorbida uniformement al semiconductor, donant lloc a la creació de GL = 1022 parells electró-forat per cm3 i per segon. d) Indiqueu si aquest règim dóna lloc a injecció forta o dèbil. e) Calculeu els excessos d'electrons i forats a la mostra al règim estacionari. f) Calculeu les posicions del pseudonivells de Fermi d'electrons i de forats referits al nivell de Fermi intrínsec. g) Calculeu la contribució dels portadors majoritaris i minoritaris a la conductivitat de la mostra. g) Obteniu la resistivitat de la mostra il⋅luminada. Sol: a) po = 1,92⋅105 cm-3; b) EF - EFi = 283 meV; c) α = 1,9⋅10-9 cm3 s-1; d) forta injecció; e) ∆n = ∆p = 2,06⋅1015 cm-3; f) EFn - EFi = 324 meV, EFi - EFp = 318 meV; g) σn = 0,492 Ω-1 cm-1, σp = 0,184 Ω-1 cm-1; h) ρ = 1,48 Ω cm 3-4.12 Disposem d'una mostra de material semiconductor que a la temperatura ambient té els següents paràmetres: Eg = 1 eV; ni = 1010 cm-3; τn = 10-7 s; NA = 1017 cm-3; Ei = (EC + EV) / 2 Suposant que a temperatura ambient totes les impureses estan ionitzades i que en tot moment el semiconductor...
View Full Document

Ask a homework question - tutors are online