Sol a nt n0 exp t b 1410 4 s n2 ms 621013

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: ortadors minoritaris i la concentració de portadors minoritaris 2 ms després de l'extinció de la llum. Sol: a) ∆n(t) = ∆n(0) exp (-t/τ); b) τ = 1,4⋅10-4 s, ∆n(2 ms) = 6,2⋅1013 cm-3 3-4.6 Considereu una barra molt llarga de semiconductor uniforme de tipus N. Imagineu-la en circuit obert però il⋅luminada uniformement amb llum estacionària al llarg d'una regió de longitud δ situada a la part central. Suposeu que la llum penetra uniformement a través de la regió i crea parells electró-forat amb una velocitat g parells per cm-3 i per segon. Després de que hagi 2 TEMES III-IV. Fenòmens de Transport. Generació i Recombinació transcorregut un temps suficientment llarg la concentració de portadors, els corrents, etc. arriben a un règim estacionari. En aquestes condicions: a) Calculeu la distribució p(x) dels portadors minoritaris. b) Calculeu el valor del camp elèctric que es crea a l'interior del semiconductor. Discutir el seu origen des d'un punt de vista físic i pels casos en que Dn=Dp i Dn≠Dp. c) Obteniu els corrents de forats, d'electrons i el corrent total. d) Calculeu la densitat de càrrega ρ(x) origen del camp. 1 δ x x δ exp + exp per x ≤ , Sol : a ) ∆ p = g L τ p 1 - exp 2L L L 2 p p 2 p δ x δ ∆ p = g L τ p sinh 2 L exp - L per x ≥ 2 p p δ ∆ p = g L τ p sinh 2L p D - Dn d ∆ p b) ξ= p n µn dx c ) J p= x δ exp L per x ≤ − 2 p δ q Lp gL exp 2 Lp 2 x exp Lp x δ - exp L p per x ≤ 2 , δ x δ J p = − q L p g L sinh 2 L...
View Full Document

This document was uploaded on 03/26/2014 for the course FISICA 01 at Universitat de Barcelona.

Ask a homework question - tutors are online