C el nombre de parells electr forat que es recombinen

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: gon. El temps de vida mitja dels minoritaris és de τ segons i una de les superfícies de la mostra presenta una velocitat de recombinació superficial de Sp cm/s. Calculeu: a) La distribució de l'excés de portadors minoritaris, prenent com a origen la superfície en què es produeix la recombinació. b) El nombre de parells electró-forat que es recombinen en el volum per unitat de temps i superfície (indicació: considerar que el semiconductor té una llargada L molt més gran que Lp, però que no és infinit). c) El nombre de parells electró-forat que es recombinen en el volum per unitat de temps i superfície i en una longitud 3Lp. d) Determineu el camp elèctric si la mostra es troba en circuit obert. x 1 Lp 1 - ; b ) Rtot = A g l L exp Sol : a ) ∆ p ( t ) = g l τ p Dp Dp Lp 1+ 1+ S p Lp S p Lp 3 - 0,95 L p c ) R = A gl L p Dp 1+ S p Lp d ) ξ= x 1 D p - Dn g l τ p exp - L n µn L p 1+ D p p S p Lp 3-4.15 Considerem un semiconductor homogeni de tipus N, dopat amb ND àtoms d'impuresa per cm3. Es sap que a un dels extrems del semiconductor, que prendrem com x = 0, es manté un excés de portadors minoritaris, ∆p(0), i que pel semiconductor circula un corrent I (no ens importa com es manté l'excés de portadors ni el corrent). Suposem que l'extrem oposat del semiconductor està infinitament allunyat. Altres dades conegudes són temps de vida mitja dels minoritaris, τp, coeficient de difusió dels minoritaris, Dp, la mobilitat dels majoritaris, µn, i l'àrea transversal, A. 6 TEMES III-IV. Fenòmens de Transport. Generació i Recombinació a) Determineu l'expressió del perfi...
View Full Document

This document was uploaded on 03/26/2014 for the course FISICA 01 at Universitat de Barcelona.

Ask a homework question - tutors are online