F calculeu el quocient per a x 0 entre el valor del

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: l de minoritaris. b) Determineu l'expressió del corrent de difusió de minoritaris. c) Admetent la hipòtesi de quasineutralitat elèctrica (és a dir, ∆n(x) = ∆p(x)), determineu l'expressió del corrent de difusió de majoritaris si 2 Dp = Dn. d) Admetent que el corrent dels minoritaris és degut només a la difusió, determineu el corrent d'arrossegament dels majoritaris. e) Tenint en compte que estem en baixa injecció (∆p(0) << ND), determineu el camp elèctric necessari per a obtenir el corrent d'arrossegament obtingut a l'apartat d). f) Calculeu el quocient per a x = 0 entre el valor del corrent d'arrossegament de minoritaris que produiria el camp elèctric obtingut a e) i el corrent de difusió obtingut a b) suposant que peq = po << ∆p(0). Suposem ara que el semiconductor està fora de l'equilibri però en règim estacionari, de forma que circula un corrent I. Suposem que les condicions són pràcticament les mateixes que a l'equilibri i que encara es compleix la relació d'Einstein. g) Calculeu el camp elèctric a cada punt, la diferència de potencial entre els extrems i la densitat de càrrega a l'interior del semiconductor. h) Calculeu el corrent i la diferència de potencial que serien necessaris per a que al punt de densitat de càrrega màxima aquesta fos només el 10% del valor de la càrrega fixa. Sol: a) ∆p(0) = ∆p(0) exp (-x/Lp); b) Jpdif = ( q Dp ∆p(0) / Lp ) exp (-x/Lp); c) Jndif = - 2 Jpdif; d) Inder = I + Ipdif; e) ξ = ( I + Ipdif ) / (q A ND µn); f) Ipder(0) / Ipdif(0) = ∆p(0) / 2ND (1 +...
View Full Document

Ask a homework question - tutors are online