Guía teórica (5)

Resulta ser una brecha de la que permite potencial

Info iconThis preview shows page 1. Sign up to view the full content.

View Full Document Right Arrow Icon
This is the end of the preview. Sign up to access the rest of the document.

Unformatted text preview: untura N-P “gastar” un Figura 1: Diodo cinética. Así, la juntura esta manera, la sa zona, debe actúa como poco de su energíasemiconductor de juntura. resulta ser una “brecha de la que permite potencial” yla corriente en característico que dependerá del tipo de semiconductor que se use, el paso de tiene un valor por ejemplo para el silicio esa brecha que casi 1 Vo Si la cruzar esa zona debe gastar un poco olt. “terreno plano”, en el sentido que paraes de un electr´n pueda diferencia de potencial aplicada es m su energ´ cin´tica. no la juntura resulta ser una deenor al de la brecha,As´ habrá corriente eléctrica. brecha de potencial y tiene un valor caracter´ ıa e ı, ıstico que depender´ del tipo de semiconductor que se use, por ejemplo para el silicio esa brecha es de casi a 1 V.Fig. 2a representa potencial aplicada es diodo talla de la brecha, no habr´ corriente el´ctrica. La a La Si la diferencia de el esquema de un menor a como se emplea en los diagramase...
View Full Document

Ask a homework question - tutors are online