6 ec ei ef ev ec e f e v ec e f e v ec e f e v e d

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6 EC Ei =EF EV EC E F E V EC E F E V EC E F E V E D
반도체재료 중간시험 1 제한시간 75 담당교수 : 김동환 2016. 10. 26. 답은 답안지에 쓰시오 . Donor 위는 Conduction Band 와 가까운 에 위치한다 참고자료 n = n i exp{(E F -E i )/kT} = N c exp{-(Ec-E F )/kT} p = n i exp{(E i -E F )/kT} = N v exp{-(E F -E V )/kT} kT = 0.026 eV at 300K = 2.5 x 10 19 cm -3 at for m e * = m o at RT. For Si, m* e /m o = 1.18, m* h /m o = 0.81 (density-of-states effective mass) 5x10 22 Si atoms/cm 3 E∙ = 1.24 eV∙ m 가시광선 파장 범위 : 0.4 ~ 0.7 m 7 2 / 1 2 2 2 2 i A D A D n N N N N n 2 / 1 2 2 2 2 2   i D A D A i n N N N N n n p q kT D
반도체재료 중간시험 1 제한시간 75 담당교수 : 김동환 2016. 10. 26. 답은 답안지에 쓰시오 . 8

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