ESTRUCTURA DE MATERIALES.pdf

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(,).%*$¾(%)#’(Tan solo se consideran aquellos átomos donde la dirección deinterés pase por su centro.
Densidad atómicaDensidad atómica lineal[110]ñ2á*,-,º’ ∙2/0±4 ⋅ 6’ ∙2±4 ⋅ ’ ⋅24’ ∙2± 1
Densidad atómicaDensidad atómica planarEs la relación entre el número equivalente de átomoscortados por el área seleccionada, con respecto al áreaseleccionada.Ã7±!°#°$%&’(#)*#¾#á*,-,ºá1#’º#(#33%,)’¾’El factor de empaquetamiento es la fracción realmenteocupada por átomos en el área seleccionada./07±!°º$¼#18%3%#á*,-,ºá1#’º#(#33%,)’¾’Tan solo se consideran aquellos átomos donde la líneapase por su centro.
Densidad atómicaDensidad atómica planar
Densidad atómicaDensidad atómica volumétricaEs la relación entre la masa de la celda unitaria conrespecto al volumen de dicha celdaÃ9±-’º’/3#(¾’&,($-#)/3#(¾’El factor de empaquetamiento es la fracción de la celdaunitaria ocupada por átomos./0; ±<,($-#)¾#á*,-,º<,($-#)3#(¾’Tan solo se consideran aquellos átomos donde la líneapase por su centro.
Densidad atómicaDensidad atómica volumétrica
¿Cómo saber que estructura tienen los materiales?
Difracción de Rayos X Método indirecto.Los rayos X han sido difractados o el haz ha sidoreforzado, cuando las condiciones satisfacen laley deBragg.
Difracción de Rayos X
Difracción de Rayos X
DEFECTOS EN ESTRUCTURAS CRISTALINAS
Defectos en estructuras cristalinasLos materiales de usos industriales por lo general no son estructuras perfectas, y presentan defectos de distintos tipos, estos son:PuntualesLinealesInterfacialesEn volumen
Defectos en estructuras cristalinasDefectos Puntales
Defectos en estructuras cristalinasDefectos puntualesVacanteInstersticiosÁtomo IntersticialÁtomo Autointersticial
Defectos en estructuras cristalinasDefectos puntualesEstos defectos son discontinuidades de la red queinvolucran uno o quizá varios átomos.Estos defectos son generados por el movimiento deosátomosalganarenergíaporcalentamiento;procesamiento;introduccióndeimpurezasointencionalmente.
Defectos puntualesVacanciaUna vacancia se produce cuando falta un átomo enun sitio normal. Las vacancias se crean en el cristaldurante la solidificación a altas temperaturas o comoconsecuencia de daños por radiación. A temperaturaambiente aparecen muy pocas vacancias, pero éstasse incrementan de manera exponencial conforme seaumenta la temperatura; como se muestra en lasiguiente ecuación de Arrhenius;!9± ! ∙ #³=>?∙@
Defectos puntualesVacancia!9± ! ∙ #³=>A∙@!9: N° de vacantes por cmᶟ de material.!: N°de puntos de red por cmᶟR: Constante de los gases (1.987 cal/mol).B9: Energía requerida para producir una vacancia.C: Temperatura absoluta
Defectos puntualesDefectos intersticialesSe forman cuando se inserta un átomo adicional enuna posición normalmente desocupada dentro de laestructura cristalina.

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