Por lo tanto nos vamos a centrar en los niveles el\u00e9ctricos y geom\u00e9tricos por

Por lo tanto nos vamos a centrar en los niveles

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Por lo tanto nos vamos a centrar en los niveles eléctricos y geométricos, por ser aquellos en los que la acción del diseñador es importante. Figura 1.16.Clasificación jerárquica de los sistemas digitales.
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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS, TECNOLOGÍA E INGENIERÍA CONTENIDO DIDÁCTICO DEL CUSO: 299008 – MICROELECTRÓNICA PROCESOS DE DISEÑO La fabricación de un circuito integrado consiste de una serie de pasos en un orden específico. El material base de los circuitos integrados es una oblea o disco de semiconductor. La tecnología más desarrollada es la basada en silicio (Si), aunque también existen tecnologías a base de otros semiconductores como arseniuro de galio (GaAs) o germanio y silicio (SiGe). No obstante, todas las tecnologías siguen unos pasos similares. El semiconductor no está en equilibrio eléctricamente, sino que unas cantidades controladas de impurezas son añadidas para dotar al cristal de las propiedades eléctricas requeridas. Dichas impurezas pueden ser donadores (cargados eléctricamente con signo negativo), que se corresponden al tipo n; o aceptoras (cargadas eléctricamente con signo positivo), que corresponden al tipo p. En función del tipo de estas impurezas podemos encontrarnos con diferentes tipos de procesos: Procesos de n-well (utilizado principalmente en Europa) en el que el dopado de la oblea es de tipo p. Procesos de p-well (utilizado principalmente en Estados Unidos) en el que el dopado de la oblea es de tipo n. Procesos de well gemelos (el cual se está extendiendo cada vez más) en el que el signo del dopado de la oblea no tiene demasiada importancia ya que se van a generar los dos tipos de well (n-well y p-well). Como los tres tipos de procesos son similares, nos vamos a centrar en uno de ellos, en particular en el proceso de n-well. Dicho proceso se muestra en la figura 1.17, más concretamente la oblea sería el paso (a). La primera máscara define el n-well (figura 1.17b). Esta zona, el n-well, es el lugar en el que se van a implementar los transistores PMOS. En esta etapa también se depositan capas de óxido grueso (denominado de campo), SiO2, para separar cada una de las regiones (figura 1.17c). La siguiente capa que se deposita es la llamada óxido de puerta (o fino), la cual se obtendrá por el crecimiento de las zonas de óxido de campo (figura 1.17d). Dicha capa constituirá con el polisilicio el terminal de puerta de los transistores. Una vez que se ha depositado el óxido de puerta, se coloca el polisilicio (figura 1.17e) y se despeja el resto de óxido de puerta para permitir la creación de los terminales de fuente y drenador (figura 1.17f). El siguiente paso es difundir los terminales de fuente y drenador de los transistores NMOS (figura 1.17g), y seguidamente los terminales correspondientes a los transistores PMOS (figura 1.17h). También se crean los contactos con las zonas de polarización: regiones n+ sobre el n-well, y regiones
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