量 小 耐 压 低 多 用于功率不 超 过 1 k W 的电力电子装 置 71 243 电力 场 效应晶体� 电力 MOSFET 的结构和工作原理

量 小 耐 压 低 多 用于功率不 超 过 1 k w

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小, 用于功率不 过 1 0 k W 的电力电子装
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71 2.4.3 电力 效应晶体管 电力 MOSFET 的结构和工作原理 电力 MOSFET 的种类 按导电 沟道 可分为 P 沟道 N 沟道 极电压为 极之间就 在导电 的称为 N ( P ) 沟道 器件, 极电压大于(小 于) 才存 在导电 沟道 的称为 在电力 MOSFET 中,主要是 N 沟道
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72 2.4.3 电力 效应晶体管 2-20 电力 MOSFET 的结 和电气图 形符 a) 内部结构断 面示 意图 b) 电气图 形符 电力 MOSFET 的结构 小功率 MOS 管 导电 电力 MOSFET 直导电 VMOSFET 压和 电流能力 多元 集成结构
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73 2.4.3 电力 效应晶体管 截止 :当 极间接 电压, 间电 压为 时, P 基 N 漂移 之间 成的 P N J 1 反偏 极之间 流流过。 电力 MOSFET 的工作原理 P N
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74 2.4.3 电力 效应晶体管 导通 U T 称为 电压(或 电压) U GS U T 越多 ,导电能力 极电流 I D 大。 U GS 大于 一电压 U T 时,使 P 型半导体 型成 N 型半导体, N 沟道 而使 P N J 1 极和 极导电。 之间加一 电压 U G S 电压会 下面 P 中的空 开,而 P 中的 子——电 下面 的 P 区表面
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75 电力 MOSFET 的基本特性 态特性 ( 特性和 出特性) 特性 极电流 I D 栅源 间电压 U GS 的关系 入电压和 出电流的关系 I D 较大时, I D U GS 的关系 线 性, 曲线 率被定义为 MOSFET 的 G f s 2.4.3 电力 效应晶体管 GS D fs d d U I G 2-21 电力 MOSFET 特性和 出特性 a) 特性 电压控制型器件,其 极高 入电流 常小。
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76 2.4.3 电力 效应晶体管 出特性 截止区 GTR 截止区 GTR GTR ---- 电压增加时 电流不 增加, ---- 电压增加时 极电流 应增加。 2-21 电力 MOSFET 特性和 出特性 b) 出特性 工作在 开关 状态, 截止 之间来 换。
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77 2.4.3 电力 效应晶体管 本身结构所 之间 与 MOSFET 反向并联 生二极管 通态电 阻具有 正温 度系数 器件 并联 时的
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78 2.4.3 电力 效应晶体管 动态特性 开通过程 开通 延迟 时间 t d ( on ) 电流上 时间 t r 电压 下降 时间 t f v
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  • li zhi

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